Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
植山 大地*; 千星 聡*; 齋藤 勇一; 石川 法人; 西田 憲二*; 曾根田 直樹*; 堀 史説*; 岩瀬 彰宏*
Japanese Journal of Applied Physics, 53(5S1), p.05FC04_1 - 05FC04_5, 2014/05
被引用回数：9 パーセンタイル：34.69(Physics, Applied)MeVエネルギー領域の荷電粒子ビーム照射による金属表面の改質に関する研究を行っている。これまでに、イオンビーム照射により熱時効した金属の表面の硬度が向上することを明らかにした。今回、電子線照射による表面硬度の変化を調べた。大きさが10
100.25mm
のCu-Ti合金の試料について熱時効処理のみのものと、熱時効しながら試料を突き抜ける2MeVの電子ビーム照射(8.010
/cm
)したものの表面硬度を比較した。その結果、熱時効処理だけの試料に比べて、電子ビーム照射したものは表面及び裏面とも4倍程度の高度の向上が得られた。これにより、電子線照射は金属試料全体の硬度向上に有用な手段であることを明らかにした。
小出 哲也*; 佐藤 隆博; 江夏 昌志; 齋藤 勇一; 神谷 富裕; 大河内 拓雄*; 小嗣 真人*; 木下 豊彦*; 中村 哲也*; 岩瀬 彰宏*; et al.
Japanese Journal of Applied Physics, 53(5S1), p.05FC06_1 - 05FC06_4, 2014/05
被引用回数：12 パーセンタイル：47.17(Physics, Applied)MeVエネルギー領域の荷電粒子ビーム照射による金属表面の改質に関する研究を行っている。これまでに、イオンビーム照射によりFeRh合金の磁性を反強磁性状態から強磁性状態に構造変化なく変化できることを見いだした。今回、TIARAの軽イオンマイクロビームを用いたFeRh合金薄膜上へのミクロンサイズの磁性パターン作製を試みた。まず、エネルギー2MeVのプロトンマイクロビームにより膜厚30nmのFeRh合金薄膜に様々なパターンの描画を行い、その後、SPring8における放射光を用いた光電子顕微鏡観察によって磁気ドメイン構造の観察を行った。その結果、ドットや直線,文字などのマイクロメートルサイズの強磁性パターンを試料表面に描画することに成功した。また、照射量により磁化の大きさを制御することに成功し、イオンマイクロビームが、局所的な磁性状態制御に有用な手段であることを示した。
7 surfacesTang, J.*; 西本 究*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; 渡辺 大輝*; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*
no journal, ,
The surface electronic properties corresponding to real-time photoelectron spectroscopy have been analyzed by density functional theory and molecular orbital calculations to clarify the reaction path of the oxygen adsorption on Si(111)77. The change of work function was observed during the oxidation at room temperature and 873 K. It can be seen that the net charge of atom present at the surface is negative in the oxygen configurations of ad-insx2, ad-insx3, tri-insx3 and the surface electron negativity turns high with increasing oxidation state, implying the change of work function increases drastically at ad-insx3 and tri-insx3. However, the surface is electron positive for insx2 and insx3, leading to the decrease of change of work function. With combining the O1s binding energy calculated by DVXa, potential energy surface calculations and the XPS measurements, a reaction path of the oxygen adsorption on Si(111) is suggested.
高橋 正光; 神津 美和*; Hu, W.*
no journal, ,
Semiconductor nanowires have attracted much attention because of their potential applications to novel devices exploiting their unique structures. One of the growth techniques of semiconductor nanowires is use of the vapor liquid solid (VLS) growth, in which metal droplets work as catalyst. At growth temperatures, the metal catalyst forms liquid alloys with the substrate materials. The knowledge about the atomic structure between the droplets and the substrate is essential for understanding the growth mechanism of the VLS growth. In the present work, surface X-ray diffraction was employed to determine the interfacial structure.
